中国原子能科学研究院MOSFET驱动剂量仪已具备采购条件，现公开邀请供应商参加谈判采购活动。
- 采购项目简介
- 采购项目名称：中国原子能科学研究院MOSFET驱动剂量仪。
- 项目编号：CIAE-WZ-GKJT-25-3133。
内部编号：ZKX20250801C897。
- 采购单位：中国原子能科学研究院。
- 采购代理机构：中科信工程咨询（北京）有限责任公司。
- 采购项目资金落实情况：资金来源已落实。
- 采购项目概况：对中国原子能科学研究院MOSFET驱动剂量仪进行设计、制备、表征与测试。
- 采购方式：谈判采购。
- 成交供应商数量及份额：1家、100%。
- 采购范围及相关要求
- 采购范围：
编号 |
属性 |
技术参数 |
1 |
数量 |
10组 |
2 |
阈值电压变化率 |
≥10mV/Gy |
3 |
测量范围 |
1Gy至100kGy（支持高剂量电离辐射场景） |
4 |
栅氧化层厚度 |
145nm、400nm、1000nm |
5 |
介电常数 |
3.9±0.2 （需通过椭圆偏振仪验证） |
6 |
晶体管类型 |
N型与P型双通道设计（支持差分信号检测） |
7 |
W/L |
|
8 |
读出电压范围 |
0.5V~8V |
9 |
温度范围 |
-55℃~+125℃ |
10 |
重复性 |
≤5% |
11 |
裸片尺寸 |
≤2mm×2mm×1mm |
12 |
引脚耐压 |
±15V（防反接保护） |
13 |
顶层硅厚度 |
55nm, 75nm, 100nm |
14 |
顶层硅位错密度 |
≤10?0?6cm?6?3?0?5 |
15 |
顶层硅表面粗糙度 |
≤0.3nm |
16 |
衬底硅厚度 |
725μm±25μm |
17 |
电极材料 |
Ti/Au（厚度：Ti 10nm，Au 50nm） |
18 |
接触电阻 |
≤1Ω·mm |
19 |
器件类型 |
N型/P型MOSFET |
20 |
其他要求 |
1.需在交货时提供椭圆偏振仪测试、氧化层击穿测试、次级离子质谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X 射线光电子能谱等表征报告； 2.供货方报价时提供设计方案（包含TCAD模拟、工艺原理、工艺流程、关键控制参数等）、中国原子能科学研究院MOSFET驱动剂量仪设计结构图及接线图、电场分析报告、测试方案及以往案例； 3.为保障项目顺利推进，实现对中国原子能科学研究院MOSFET驱动剂量仪的深度定制与品质把控，需方需参加到中国原子能科学研究院MOSFET驱动剂量仪的设计、制备、测试等全流程阶段工作中。供方应提供全面且专业的支持，涵盖技术资料共享、现场操作指导、理论知识讲解等内容，确保需方相关人员能够充分理解并有效参与各环节工作。供方承诺以培养需方独立掌握相关技术流程为目标，通过系统的培训与实操指导，助力需方在项目全流程中发挥关键作用。 |
本服务对中国原子能科学研究院MOSFET驱动剂量仪进行设计、制备、表征与测试，具体参数见表1。供方应根据需方要求，编写设计报告，开展研制工作，并出具第三方表征报告和测试报告。具体设计与加工细节由双方友好协商，确定方法后供方编写设计方案，由需方审批后开展制备、表征及测试。供方应交付10组设备，并出具具有效力的试验报告。
- 交货期：双方根据表1确定具体设计方案，合同签订一周内供方完成设计方案编写，经需方审批后，供方开展加工制备工作，并在3个月内完成全部加工、表征和测试，并出具相关证书和报告。
- 交货地点：中国原子能科学研究院。
- 货物质量标准或主要技术性能指标：满足谈判采购文件要求。
- 供应商资格要求
- 供应商应依法设立且具备承担本采购项目的资质条件、能力和信誉：
- 本次采购要求供应商具有独立承担民事责任能力的在中华人民共和国境内注册的法人或其他组织，具备有效的营业执照或事业单位法人证书或其它营业登记证书。
- 供应商需具备类似产品（半导体或芯片类）的研发经验和成功应用案例1项，提供合同复印件。
（3）信誉要求：
a.在最近三年内未发生重大产品质量问题（以相关行业主管部门的行政处罚决定或司法机关出具的有关法律文书为准）；
b.未被工商行政管理机关在全国企业信用信息公示系统（http://www.gsxt.gov.cn/）中列入严重违法失信企业名单；
c.未在“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）或各级信用信息共享平台中列入失信被执行人名单；在最近三年内供应商或其法定代表人、拟委任的项目负责人无行贿犯罪行为；
d.未被中核集团及院纳入黑名单、灰名单等（不包含已释放的）；
e.不存在核安全监管“两个零容忍”情形，被核安全监管部门明确停工处罚的，或即将面临停工处罚的。
（4）其他：a.供应商在**
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